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2. Mosfets N e P

Mosfet de Canal N (NMOS - N-Channel Metal-Oxide-Semiconductor):

É um tipo de transistor de efeito de campo (FET) onde o canal de condução é formado por portadores de carga negativa (elétrons). Mosfets de canal N são frequentemente utilizados em aplicações de baixa potência e alta frequência.

Funcionamento:

Controlado pela tensão aplicada à porta em relação ao substrato, quando uma tensão positiva é aplicada ao terminal de Gate, cria-se um campo elétrico que forma uma região tipo N (canal) no substrato tipo P. Esse canal age como um condutor, permitindo a passagem de corrente entre o Dreno e a Fonte.

Velocidade e Eficiência:

Os MOSFETs de Canal N são conhecidos por sua alta velocidade de comutação e eficiência, especialmente em comparação com transistores bipolares.

Controle de Potência:

Esses dispositivos são ideais para controlar potências significativas em sistemas eletrônicos, como em inversores, conversores de frequência, fontes de alimentação e outros circuitos de potência.

Mosfet de Canal P (PMOS - P-Channel Metal-Oxide-Semiconductor):

Mosfets de canal P também são utilizados em aplicações de baixa potência, e o uso específico depende da aplicação e da polaridade desejada.

Funcionamento:

Semelhante ao Mosfet de canal N, mas o canal de condução é formado por portadores de carga positiva (lacunas). Controlado pela tensão aplicada à porta em relação ao substrato, mas com polaridade oposta ao Mosfet de canal N, quando uma tensão negativa é aplicada ao terminal de Gate, ela cria um campo elétrico que forma uma região tipo P (canal) no substrato tipo N.

Esse canal age como um condutor, permitindo a passagem de corrente entre o Dreno e a Fonte.

Velocidade e Eficiência:

Similar ao MOSFET de Canal N, o MOSFET de Canal P é conhecido por sua alta velocidade de comutação e eficiência.

Controle de Potência:

Assim como o MOSFET de Canal N, o MOSFET de Canal P é empregado para o controle de potência em sistemas eletrônicos, oferecendo uma solução eficiente para comutação de carga.

Diodo Parasita:

Em ambos MOSFETs tanto no de Canal N, quanto no de Canal P também pode apresentar um diodo parasita entre o Dreno e a Fonte, que pode ser aproveitado como um diodo de proteção em determinadas aplicações.

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Considerações finais:

  • Mosfets de canal N e canal P são comumente utilizados em aplicações de baixa e média potência, dependendo da polaridade e das características específicas da aplicação.
  • A escolha entre eles depende das exigências específicas do circuito, como a natureza da carga, requisitos de velocidade de comutação, eficiência e outros fatores.